美国十次 要紧窒碍！芯片光刻胶重要期间被攻克：原材料一起国产 配方全自主狡计

快科技 10 月 25 日音信，据华中科技大学官微音信，近日，该校武汉光电国度盘选取心团队美国十次，在国内当先攻克合成光刻胶所需的原料和配方，助推我国芯片制造重要原材料窒碍瓶颈。

据先容，其研发的 T150A 光刻胶系列产物，已通过半导体工艺量产考证，已毕了原材料一起国产，配方全自主狡计，有望独创国内半导体光刻制造新阵势。

公开贵府浮现，光刻胶是一种感光材料，用于芯片制造的光刻格局，责任旨趣肖似于影相机的菲林曝光。芯片制造时，会在晶圆上涂上光刻胶，在掩膜版上绘画好电路图。

当光泽透过掩膜版照耀到光刻胶上会发生曝光，历程一系列措置后美国十次，晶圆上就会得到所需的电路图。

由于光刻胶是芯片制造的重要材料，国际企业对其原料和配方高度消失，当今我国所使用的光刻胶九成以上依赖入口。

武汉光电国度盘选取心团队研发的这款半导体专用光刻胶对标国际头部企业主流 KrF 光刻胶系列。

相较于国际同系列某产物，T150A 在光刻工艺中进展出的极限离别率达到 120nm，且工艺优容度更大、领悟性更高、留膜率更优，其对刻蚀工艺进展更好，通过考证发现 T150A 中密集图形历程刻蚀，基层介质的侧壁垂直度进展优异。

团队厚爱东说念主示意："以光刻期间的分子基础盘考和原材料的缔造为起先，最终赢得具有自主学问产权的配方期间，这仅仅个运行。咱们团队还会发展一系列哄骗于不同场景下的 KrF 与 ArF 光刻胶，努力于窒碍国际卡脖子重要期间，为国内联系产业带来更多惊喜。"

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